电流的驱动器提拔体例能效安森美半导体供给大驱动,、牢靠、经认证隔断本领安然,体例发作的EMI影响不发作EMI也不受,功率开闭利用中闪现的体例电压瞬变强固的共模瞬态遏抑可屈服高压和大。000 大电流单通道IGBT驱动器如16引脚隔断门极驱动器NCV57,安然隔断安排内置伽伐尼,利用中供给高能效办事正在央求高牢靠性的电源,电压下的大电流拥有米勒平台,大于5 kVrms伽伐尼隔断额定值,577的央求餍足UL 1,1200 V办事电压高于,可编程延迟去饱和(DESAT)爱护其它特点征求软闭断以遏抑尖峰电压、,、短道时IGBT门极钳位等传输延迟样板值66 ns。 、LLC转换、整流等各个功率级APM模块可用于OBC的PFC,器件数省略,寸和重量缩减尺,率密度提升功,体例本钱并低浸总。8年推出的APM16如安森美半导体201,的紧凑安排高度集成,术、全桥或半桥拓扑的灵巧性具备集成完全硅和SiC技,抗低热阻,4-1、IEC60950-1等准绳适应AQG324、IEC6066。 多种功率等第OBC拥有,级越高功率等,间就越短充电时。义符合的OBC功率等第车厂必需凭据整车央求定。大功率的互换电源这些OBC需求,C的安排凭据OB,相电源供电由单相或三。W、6.6kW、11kW和22kW最风行的OBC功率等第是3.3k;的常见互换功率等第每一个对应于区别,1所示如表。.6 kW和三相11 kW OBC计划安森美半导体可供给单相3.3 kW、6。 车超等结MOSFET履历安森美半导体具备10年汽,ET供给当先行业的能效和功能最新的第三代超等结MOSF,分立器件可供给KGD裸芯现有的超等结MOSFET,推出APM模块并于2018年。 互换电源插座对其高压电池子体例举办充电电动、混动汽车可通过直流充电桩或广泛的,是互换充电的焦点体例车载充电器(OBC)。性能电子化的首级之一安森美半导体行为汽车,SFET、IGBT和汽车功率模块(APM)等通常的产物阵容甚至完好的体例计划为电动汽车OBC和直流充电桩供给碳化硅(SiC) MOSFET、超等结MO,安排职员优化功能以专知和履历助助,发周期加快开。率等第的高能效OBC计划本文将紧要先容针对主流功。 sy Drive Version)和速克复版本(FRFET Version)超等结MOSFET有神速版本(FAST Version)、易驱动版本(Ea。针对工业级利用神速版本紧要。极电阻Rg和优化电容易驱动版本因为内置门,磁作对(EMI)低浸电压尖峰和电。类最佳的体二极管速克复版本拥有同。 电(V2X)将成为电动汽车车载充电的紧急趋向正在电动汽车电池和制制物或电网之间举办双向充。虑充放电能效双向充电应试,时不铺张能量以确保转换,无桥PFC需求图腾柱,时此,能至闭紧急反向克复性。比MOSFET计划供给更高能效集成表部SiC二极管的IGBT,向或反向克复损耗由于没相闭联的正。充电的电道图如图3是双向,3和K4对待K,esat、低正向电压Vf的器件需求神速开闭、低饱和压降Vc。合AEC车规的IGBT系列安森美半导体供给广大的符,场截止IGBT和1200 V超高速沟槽场截止IGBT征求650 V/750 V/ 950 V 第4代沟槽,和更高的功率密度具备更低的损耗,T计划AFGHL50T65SQDC以及集成SiC二极管的同化IGB。 采暖设备 开闭损耗和导通损耗SiC比硅计划低浸,功能程度供给新的。禁带的开垦近10年安森美半导体进入宽,氮化镓(GaN)本领的供应商是少数同时具备硅、SiC和,充电利用针对车载,涵盖10 A 到40 A)、1200 V SiC MOSFET (涵盖20 到80mΩ)供给汽车级650 V SiC二极管(涵盖6 A到50 A)、1200 V SiC二极管(。最高结温175℃这些SiC二极管,涌电流本领拥有高浪,系数正温,并联易于,克复损耗无反向,产件照准步调(PPAP)适应AEC-Q101和生。ET最高结温175℃这些SiC MOSF,闭和低电容供给高速开,性负载(UIL)测试100%经无钳位感,产件照准步调(PPAP)适应AEC-Q101和生。 新推出的三相11 kW PFC-LLC OBC平台SEC-3PH-11-OBC-EVB是安森美半导体,的 SiC功率器件和驱动器采用适应AEC-Q101,OSFET门极驱动器NCV51705和650 V、30 A SiC二极管 FFSB3065B-F085征求1200 V、80mΩ NVHL080N120SC1高功能SiC MOSFET、6 A SiC M,胜过95%体例能效。模块化手法该套件采用,用户接口(GUI)装备用户友谊的图形,和加快评估从而简化。以电压或电流负责形式驱动LLC体例由嵌入式软件。供的高能效、高功率密度、幼占位上风该平台显现SiC器件用于OBC可提,LLC拓扑体例的练习处境也可行为开垦3相PFC-。电压195至265 Vac该套件的闭节参数为:输入,至40 A直流总线,400 kHz最高频率fs 。 动动力总成需求的增加而增加车载充电市集跟着电动汽车电。MOSFET、IGBT、门极驱动安森美半导体除了供给通常的超等结,SiC的同化IGBT、SiC MOSFET、APM模块还针对V2X等趋向和功率等第及占位面积等挑衅推出集成,、整流、辅助电源、驱动等各个功率级利用于车载充电的PFC、DC-DC,能、功率密度提升能效、性,和占位空间减幼损耗,现有产物阵容同时踊跃扩展,1kW等主流功率等第的OBC开垦套件推出用于3.3kW、6.6kW、1,安排和评估接济加快,12bet手机版首页,C-3PH-11-OBC-EVB采用SiC本领其最新推出的三相11 kW 车载充电器平台SE,胜过95%能效程度,密度高功率,确保无忧的启动和用户友谊的体验可实施的数字负责和可用的GUI,LLC拓扑体例的练习处境还可行为开垦3相PFC-。 由多个级联级构成1个样板的OBC,换器、次级整流、辅助电源、负责及驱动电道征求功率因数校正(PFC)、DC-DC转。
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